机译:高A /金属栅叠层p型金属氧化物硅硅场效应晶体管的阴极电子注入击穿模型和时变介电击穿寿命预测
机译:与HfO_2 / TaN / TiN晶体管中击穿路径的金属状细丝形成相关的超快渐进击穿
机译:InGaAs变质高电子迁移率晶体管与InGaAs / InP复合沟道变质高电子迁移率晶体管的击穿特性比较研究
机译:AL0.85GA0.15N / AL0.6GA0.4N在天然ALN基板上的高电子移动晶体管,具有> 9 mV / cm mesa击穿领域
机译:AlGaAs / InGaAs伪晶高电子迁移率晶体管的击穿行为和优化。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:AlGaN / GaN高电子迁移晶体管中击穿电压增强的蜿蜒栅极边缘
机译:Gaas异质结双极晶体管,具有106 V击穿电压